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Wide Band‐Gap Bismuth‐based p‐Dopants for Opto‐Electronic Applications
mehr| Titel | Wide Band‐Gap Bismuth‐based p‐Dopants for Opto‐Electronic Applications |
|---|---|
| Medien | Angewandte Chemie International Edition |
| Verlag | Wiley |
| Band | 55 |
| ISSN | 1521-3773 |
| Verfasser | Sébastien Pecqueur, Anna Maltenberger, Marina Petrukhina, Marcus Halik, Arndt Jaeger, Prof. Dr. Dominik Pentlehner, Günter Schmid |
| Seiten | 10493–10497 |
| Veröffentlichungsdatum | 21.07.2016 |
| Zitation | Pecqueur, Sébastien; Maltenberger, Anna; Petrukhina, Marina; Halik, Marcus; Jaeger, Arndt; Pentlehner, Dominik; Schmid, Günter (2016): Wide Band‐Gap Bismuth‐based p‐Dopants for Opto‐Electronic Applications. Angewandte Chemie International Edition 55, 10493–10497. DOI: 10.1002/anie.201601926 |